Основное заглавие: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Сведения, относящ. к заглавию: [материалы конференции, июнь 1982 г.]
Ответственность: АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии, Ин-т физики полупроводников
Физический носитель: текст
Название части / раздела: Новые методики, легирование, критерии функциональной пригодности материалов
Год публикации: 1984
Место издания: Новосибирск
Издательство: Наука, Сибирское отделение
Объем: 152 с.
Ключевые слова: Полупроводники; Кристаллы; Рост; Полупроводниковые пленки;
ББК: 22.375.14
Библиография: Библиогр. в конце докл.
№ | Инвентарный номер |
Сигла | Статус | Дата возврата |
---|---|---|---|---|
1 | 2104072 | кх | Доступна | - |