Рoст и легирoвание пoлупрoвoдникoвых кристаллoв и пленoк [текст] : в 2 частях] : [материалы симпозиума, 2-5 июня 1975 г. Ч. 2 / отв. ред. Л. Н. Александров ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сибирское отделение, 1977. - 357 с. : ил. - Списки лит. в конце докл.



Основное заглавие: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок

Сведения, относящ. к заглавию: в 2 частях] : [материалы симпозиума, 2-5 июня 1975 г.

Ответственность: отв. ред. Л. Н. Александров ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Физический носитель: текст

Год публикации: 1977

Место издания: Новосибирск

Издательство: Наука, Сибирское отделение

Объем: 357 с.

Ключевые слова: Полупроводники; Кристаллы; Рост; Полупроводниковые пленки;

ББК: 22.379.25

Библиография: Списки лит. в конце докл.

1811426
 
Рoст и легирoвание пoлупрoвoдникoвых кристаллoв и пленoк [текст] : в 2 частях] : [материалы симпозиума, 2-5 июня 1975 г. Ч. 2 / отв. ред. Л. Н. Александров ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сибирское отделение, 1977. - 357 с. : ил. - Списки лит. в конце докл.
ББК 22.379.25
1811426-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же копию его фрагмента, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 1811426 кх Доступна -
Х

При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера