Родес, Р. Г. 
Несoвершенства и активные центры в пoлупрoвoдниках [текст] / Родес Р. Г. ; пер. с англ. М. А. Бетуганова [и др.] ; под ред. С. С. Горелика. - Москва : Металлургия, 1968. - 371 с. : ил. - Доп. тит. л.: Imperfections and active centres in semiconductors. By R. G. Rhodes. - Библиогр.: с. 353-367.



Автор: Родес Р. Г.

Основное заглавие: Несовершенства и активные центры в полупроводниках

Ответственность: пер. с англ. М. А. Бетуганова [и др.] ; под ред. С. С. Горелика

Физический носитель: текст

Год публикации: 1968

Место издания: Москва

Издательство: Металлургия

Объем: 371 с.

Примечание: Доп. тит. л.: Imperfections and active centres in semiconductors. By R. G. Rhodes

Ключевые слова: Полупроводники; Дефекты; Примеси;

ББК: 32.843.3

Библиография: Библиогр.: с. 353-367

1415400
Родес, Р. Г. 
Несoвершенства и активные центры в пoлупрoвoдниках [текст] / Родес Р. Г. ; пер. с англ. М. А. Бетуганова [и др.] ; под ред. С. С. Горелика. - Москва : Металлургия, 1968. - 371 с. : ил. - Доп. тит. л.: Imperfections and active centres in semiconductors. By R. G. Rhodes. - Библиогр.: с. 353-367.
ББК 32.843.3
1415400-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же его копию, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 1415400 кх Доступна -