Автор: Родес Р. Г.
Основное заглавие: Несовершенства и активные центры в полупроводниках
Ответственность: пер. с англ. М. А. Бетуганова [и др.] ; под ред. С. С. Горелика
Физический носитель: текст
Год публикации: 1968
Место издания: Москва
Издательство: Металлургия
Объем: 371 с.
Примечание: Доп. тит. л.: Imperfections and active centres in semiconductors. By R. G. Rhodes
Ключевые слова: Полупроводники; Дефекты; Примеси;
ББК: 32.843.3
Библиография: Библиогр.: с. 353-367
№ | Инвентарный номер |
Сигла | Статус | Дата возврата |
---|---|---|---|---|
1 | 1415400 | кх | Доступна | - |
При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера