Реньян, В. Р. 
Технoлoгия пoлупрoвoдникoвoгo кремния [текст] / Реньян В. Р. ; пер. с англ. Туровского Б. М. [и др.] ; под ред. Шашкова Ю. М. - Москва : Металлургия, 1969. - 335 с. : ил. - Доп. тит. л.: Technology semiconductor silicon. W. R. Runyan. - Библиогр.: с. 322-332 (332 назв.).



Автор: Реньян В. Р.

Основное заглавие: Технология полупроводникового кремния

Ответственность: пер. с англ. Туровского Б. М. [и др.] ; под ред. Шашкова Ю. М.

Физический носитель: текст

Год публикации: 1969

Место издания: Москва

Издательство: Металлургия

Объем: 335 с.

Примечание: Доп. тит. л.: Technology semiconductor silicon. W. R. Runyan

Ключевые слова: Иностранная литература; Английский язык; Кремний; Получение;

ББК: 35.25

Библиография: Библиогр.: с. 322-332 (332 назв.)

1454011
Реньян, В. Р. 
Технoлoгия пoлупрoвoдникoвoгo кремния [текст] / Реньян В. Р. ; пер. с англ. Туровского Б. М. [и др.] ; под ред. Шашкова Ю. М. - Москва : Металлургия, 1969. - 335 с. : ил. - Доп. тит. л.: Technology semiconductor silicon. W. R. Runyan. - Библиогр.: с. 322-332 (332 назв.).
ББК 35.25
1454011-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же копию его фрагмента, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 1454011 кх Доступна -
Х

При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера