Основное заглавие: Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения
Ответственность: [отв. ред. Б. М. Вул]
Физический носитель: текст
Год публикации: 1981
Место издания: Москва
Издательство: Наука
Объем: 144 с.
Cерия: Труды Физического института имени П. Н. Лебедева АН СССР
Примечание: Гл. ред. сер. Н. Г. Басов
Ключевые слова: Полупроводники; Рекомбинация; Излучательная рекомбинация;
ББК: 22.379.231
Библиография: Библиогр. список науч. работ сотр. лаб. физики полупроводников Физ. ин-та им. Н. П. Лебедева АН СССР / Сост. Б. Н. Мацонашвили: с. 103-143; Библиогр. в конце работ
№ | Инвентарный номер |
Сигла | Статус | Дата возврата |
---|---|---|---|---|
1 | 1985547 | кх | Доступна | - |
При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера