Мейер, Дж. 
Иoннoе легирoвание пoлупрoвoдникoв [текст] : (кремний и германий) : перевод с английского / Мейер Дж., Эриксон Л.; Дэвис Дж. ; под ред. В. М. Гусева. - Москва : Мир, 1973. - 296 с. : ил. - Перед загл. авт.: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис; Доп. тит. л.: Ion implantation in semiconductors. James W. Mayer, Lennart Eriksson, John A. Davis. - Список лит.: с. 288-296 (335 назв.).



Автор: Мейер Дж.

Другие авторы: Эриксон Л.; Дэвис Дж.

Основное заглавие: Ионное легирование полупроводников

Сведения, относящ. к заглавию: (кремний и германий) : перевод с английского

Ответственность: под ред. В. М. Гусева

Физический носитель: текст

Год публикации: 1973

Место издания: Москва

Издательство: Мир

Объем: 296 с.

Примечание: Перед загл. авт.: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис; Доп. тит. л.: Ion implantation in semiconductors. James W. Mayer, Lennart Eriksson, John A. Davis

Ключевые слова: Полупроводники; Ионное легирование;

ББК: 32.843.3-06

Библиография: Список лит.: с. 288-296 (335 назв.)

1639206
Мейер, Дж. 
Иoннoе легирoвание пoлупрoвoдникoв [текст] : (кремний и германий) : перевод с английского / Мейер Дж., Эриксон Л.; Дэвис Дж. ; под ред. В. М. Гусева. - Москва : Мир, 1973. - 296 с. : ил. - Перед загл. авт.: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис; Доп. тит. л.: Ion implantation in semiconductors. James W. Mayer, Lennart Eriksson, John A. Davis. - Список лит.: с. 288-296 (335 назв.).
ББК 32.843.3-06
1639206-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же копию его фрагмента, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 1639206 кх Доступна -
Х

При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера