Легирование полупроводников методом ядерных реакций [текст] / [Л. С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко] ; отв. ред. Л. С. Смирнов ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : Наука, Сибирское отделение, 1981. - 181 с. : ил. - Авт. указаны на обороте тит. л. - Библиогр. в конце глав.

Основное заглавие: Легирование полупроводников методом ядерных реакций

Ответственность: [Л. С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко] ; отв. ред. Л. С. Смирнов ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Физический носитель: текст

Год публикации: 1981

Место издания: Новосибирск

Издательство: Наука, Сибирское отделение

Объем: 181 с.

Примечание: Авт. указаны на обороте тит. л.

Ключевые слова: Полупроводники; Ядерные реакции; Легирование

ББК: 621.315.5+32.843.3-06

Библиография: Библиогр. в конце глав