Основное заглавие: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями

Ответственность: Акчурин Р. Х., Андрианов Д. Г., Берман Л. С. [и др.] ; под ред. Фистуля В. И.

Физический носитель: Текст

Год публикации: 1987

Место издания: М.

Издательство: Металлургия

Объем: 230, [1] с.

Ключевые слова: Материаловедение; Физика; Полупроводники; Дефекты; Примеси;

ББК: 22.379.2

Библиография: Библиогр.: с. 223-231 (288 назв.)