Основное заглавие: Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями
Ответственность: Акчурин Р. Х., Андрианов Д. Г., Берман Л. С. [и др.] ; под ред. Фистуля В. И.
Физический носитель: Текст
Год публикации: 1987
Место издания: М.
Издательство: Металлургия
Объем: 230, [1] с.
Ключевые слова: Материаловедение; Физика; Полупроводники; Дефекты; Примеси;
ББК: 22.379.2
Библиография: Библиогр.: с. 223-231 (288 назв.)
№ | Инвентарный номер |
Сигла | Статус | Дата возврата |
---|---|---|---|---|
1 | 2214989 | кх | Доступна | - |
При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера