Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (3 ; 1982 ; Одесса).
III Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах [Текст] : 7-9 июня 1982 г. : тез. докл. Секция 1 : Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов / Науч. совет по комплекс. пробл. "Физика и химия полупроводников" АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР, М-во высш. и сред. образования УССР Одес. гос. у-нт им. И. И. Мечникова. - Одесса : [б. и.], 1982. - 355 с. - Библиогр. в конце докл.

Коллективный автор: Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах

Основное заглавие: III Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах

Сведения, относящ. к заглавию: 7-9 июня 1982 г. : тез. докл.

Ответственность: Науч. совет по комплекс. пробл. "Физика и химия полупроводников" АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР, М-во высш. и сред. образования УССР Одес. гос. у-нт им. И. И. Мечникова

Физический носитель: Текст

Название части / раздела: Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов

Год публикации: 1982

Место издания: Одесса

Издательство: [б. и.]

Объем: 355 с.

Ключевые слова: Полупроводниковые соединения; Полупроводники; Гетеропереходы; Физика; Гетероструктуры

ББК: 22.379.2я431

Библиография: Библиогр. в конце докл.