Войцеховский, Александр Васильевич. 
Фoтoэлектрические МДП-структуры из узкoзoнных пoлупрoвoдникoв [Текст] / Войцеховский Александр Васильевич, Давыдов В. Н. - Томск : Радио и связь, Томск. отд-ние, 1990. - 327с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 307-325. - ISBN 5-256-00498-0



Автор: Войцеховский Александр Васильевич

Другие авторы: Давыдов В. Н.

Основное заглавие: Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников

Физический носитель: Текст

Год публикации: 1990

Место издания: Томск

Издательство: Радио и связь, Томск. отд-ние

Объем: 327с.

ISBN: 5-256-00498-0

Ключевые слова: Зонная теория; МДП-структуры; Полупроводники; Структурный анализ; Фотоэлектрические свойства;

ББК: 32.844.1

Библиография: Библиогр.: с. 307-325

2318213
Войцеховский, Александр Васильевич. 
Фoтoэлектрические МДП-структуры из узкoзoнных пoлупрoвoдникoв [Текст] / Войцеховский Александр Васильевич, Давыдов В. Н. - Томск : Радио и связь, Томск. отд-ние, 1990. - 327с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 307-325. - ISBN 5-256-00498-0
ББК 32.844.1
2318213-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же копию его фрагмента, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 2318213 кх Доступна -
Х

При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера