Подвальный, Леонид С. 
Физические oснoвы микрoтехнoлoгии СБИС памяти [Текст] : Учеб. пособие / Подвальный Леонид С. ; Яросл. гос. ун-т. - Ярославль : ЯрГУ, 1989. - 67с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 66.



Автор: Подвальный Леонид С.

Основное заглавие: Физические основы микротехнологии СБИС памяти

Сведения, относящ. к заглавию: Учеб. пособие

Ответственность: Яросл. гос. ун-т

Физический носитель: Текст

Год публикации: 1989

Место издания: Ярославль

Издательство: ЯрГУ

Объем: 67с.

Ключевые слова: Интегральные микросхемы; Микроэлектроника;

ББК: 32.973.26-043

Библиография: Библиогр.: с. 66

2308033
Подвальный, Леонид С. 
Физические oснoвы микрoтехнoлoгии СБИС памяти [Текст] : Учеб. пособие / Подвальный Леонид С. ; Яросл. гос. ун-т. - Ярославль : ЯрГУ, 1989. - 67с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 66.
ББК 32.973.26-043
2308033-кх;
Находится: СОУНБ | Чтобы заказать это издание, а так же копию его фрагмента, вам необходимо авторизоваться на нашем сайте.
№ Инвентарный
номер		 Сигла Статус Дата возврата
1 2308033 кх Доступна -
Х

При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера