Основное заглавие: Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло
Ответственность: Александров Л. Н., Бочкова Р. В., Коган А. Н., Тихоеова Н. П.; Отв. ред. Стенин С. И.; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Физический носитель: Текст
Год публикации: 1991
Место издания: Новосибирск
Издательство: Наука, Сиб. отд-ние
Объем: 165,(2)с.
ISBN: 5-02-029696-1
Ключевые слова: Кристаллы; Легирование; Математические методы; Математическое моделирование; Моделирование; Монте-Карло метод; Полупроводники; Полупроводниковые пленки;
ББК: 22.379.2+34.259
Библиография: Библиогр.: с. 151-162. - Указ. предм., авт.: с. 163-166
№ | Инвентарный номер |
Сигла | Статус | Дата возврата |
---|---|---|---|---|
1 | 2346696 | кх | Доступна | - |
При использовании данного сайта, вы подтверждаете свое согласие на использование файлов «cookie» и других похожих технологий, а также платформы для связи с клиентами Jivo и сервиса «Яндекс. Метрика», «Яндекс Метрика для приложений» (AppMetrica), которое является частью политики ГБУК «СОУНБ» в отношении обработки персональных данных . Вы всегда можете отключить Cookie-файлы в настройках Вашего браузера